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IXFN44N100Q3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
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? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_44N100Q3(Q9)03-04-11
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IXFN44N50Q 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN44N50U2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:HiPerFET™ 标准包装:10 系列:*
IXFN44N50U3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:HiPerFET™ 标准包装:10 系列:*
IXFN44N60 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N80 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N80P 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube